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IRFB3006PBF  与  IPP040N06N3 G  区别

型号 IRFB3006PBF IPP040N06N3 G
唯样编号 A-IRFB3006PBF A-IPP040N06N3 G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 375 W 200 nC Hexfet Power Mosfet Flange Mount - TO-220AB
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.5mΩ@170A,10V 3.3mΩ
上升时间 - 70ns
Qg-栅极电荷 - 98nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 61S
封装/外壳 TO-220AB -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 270A 90A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 5ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8970pF @ 50V -
高度 - 15.65mm
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 375W(Tc) 188W
典型关闭延迟时间 - 40ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® OptiMOS3
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 8970pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 300nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 30ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 300nC @ 10V -
库存与单价
库存 1,000 0
工厂交货期 3 - 5天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFB3006PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 2.5mΩ@170A,10V N-Channel 60V 270A TO-220AB

暂无价格 1,000 当前型号
IRFB3206PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 60V 210A 3mΩ@75A,10V ±20V 300W N-Channel

暂无价格 1,000 对比
IRFB3006GPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 2.5mΩ@170A,10V N-Channel 60V 270A TO-220AB

暂无价格 0 对比
IPP040N06N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP040N06N3GXKSA1_60V 90A 3.3mΩ 20V 188W N-Channel -55°C~175°C

暂无价格 0 对比
IRF1324PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 353A 2mΩ 300W

暂无价格 0 对比
PSMN3R0-60PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN3R0-60PS_SOT78 N-Channel 306W 175°C 3V 60V 100A

¥15.6625 

阶梯数 价格
20: ¥15.6625
50: ¥12.8381
0 对比

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